瑞之祥99.99二氧化錫

氧化錫是一種N型半導體材料。電導率高，化學穩(wěn)定性好。晶體結構為四方金紅石型，這種結構穩(wěn)定性好，有助于電子的傳輸，其導電性是由其晶格中自由電子貢獻。

其帶隙約為3.6eV，在可見光范圍內(nèi)保持透明，同時有催化性能。

摻銻二氧化錫可以是一種N型或P型半導體，取決于摻雜的類型和濃度。摻雜濃度越高，導電性越強。

我們的4N微米級的二氧化錫可應用在導電玻璃、半導體、陶瓷、氣體傳感器（氣敏性表現(xiàn)為在還原性氣體作用下電阻降低。）以及電子元件上。

基于SnO2材料的傳感器的原理是通過吸附目標氣體而導致表面層電導率改變，在高溫下，吸附的目標氣體與表面吸附的氧離子發(fā)生反應進一步改變材料電導率。不同的氣體由于其自身結構以及不同晶面相互作用情況的不同，對材料表面電導率影響有時存在差異。這樣可以檢測乙醇、甲醇和甲醛分子等多種氣體材料。

99.99二氧化錫在電催化領域活性比較好，針對氧還原反應（ORR）和析氧反應（OER）。其表面富含的氧空位與活性中心能夠降低反應的能壘，進而提升催化反應的效率。99.99二氧化錫在燃料電池以及水分解等技術中有發(fā)展前景。

99.99二氧化錫在半導體領域也展現(xiàn)出不少潛在用途。其電子結構和物理性質，使得它能夠有效地存儲和釋放能量，為高性能電容器的開發(fā)提供了新的技術路線。

瑞之祥99.99二氧化錫涂層技術和靶材技術，真空鍍膜技術中也有不錯的運用。

比如用于透明導膜、防輻射和靜電涂料及防偽墨水等。